Sony سونى

الحجم والوزن: 3.31 رطل تكوين قناة مكبر الصوت: 2 قناة؛ مرشح تمرير منخفض 1 قناة: 80 هرتز المنحدر: مرشح تمرير منخفض: 18 ديسيبل/أكتوبر طاقة الخرج المقدرة، RMS 20 - 20000 هرتز كحد أقصى. تكوين القناة عند 4 أوم (عرض) / THD (%): 65 وات × 2 / 1.0% كحد أقصى. تكوين القناة عند 2 أوم (عرض) / THD (%): 85 وات × 2 / 1.0% الحد الأقصى لطاقة الخرج (1 كيلو هرتز) كحد أقصى. تكوين طاقة القناة عند 4 أوم: 2 × 150 واط كحد أقصى. تكوين القناة عند 4 أوم BTL: 1 × 500 واط كحد أقصى. تكوين طاقة القناة عند 2 أوم: 2 × 210 وات الميزات العامة استجابة التردد: 5‚50 كيلو هرتز التسامح: 0 نسبة الإشارة إلى الضوضاء: 100 ديسيبل إجمالي التشوه التوافقي عند 1 كيلو هرتز (%): 0.05 تفاصيل مخرج طاقة CEA: 65 وات × 2 نسبة CEA SN: 93 ديسيبل إمداد طاقة MOSFET: نعم، خط الإدخال: حساسية الإدخال: 0.3، 6الحجم والوزن: 3.31 رطل تكوين قناة مكبر الصوت: 2 قناة؛ مرشح تمرير منخفض 1 قناة: 80 هرتز المنحدر: مرشح تمرير منخفض: 18 ديسيبل/أكتوبر طاقة الخرج المقدرة، RMS 20 - 20000 هرتز كحد أقصى. تكوين القناة عند 4 أوم (عرض) / THD (%): 65 وات × 2 / 1.0% كحد أقصى. تكوين القناة عند 2 أوم (عرض) / THD (%): 85 وات × 2 / 1.0% الحد الأقصى لطاقة الخرج (1 كيلو هرتز) كحد أقصى. تكوين طاقة القناة عند 4 أوم: 2 × 150 واط كحد أقصى. تكوين القناة عند 4 أوم BTL: 1 × 500 واط كحد أقصى. تكوين طاقة القناة عند 2 أوم: 2 × 210 وات الميزات العامة استجابة التردد: 5‚50 كيلو هرتز التسامح: 0 نسبة الإشارة إلى الضوضاء: 100 ديسيبل إجمالي التشوه التوافقي عند 1 كيلو هرتز (%): 0.05 تفاصيل مخرج طاقة CEA: 65 وات × 2 نسبة CEA SN: 93 ديسيبل إمداد طاقة MOSFET: نعم، خط الإدخال: حساسية الإدخال: 0.3، 6 موصلات مطلية بالذهب: نعم الصرف الحالي (أ) - طاقة الإخراج المقدرة عند 4 أوم: 15. موصلات مطلية بالذهب: نعم الصرف الحالي (أ) - طاقة الإخراج المقدرة عند 4 أوم: 15