يستخدم هذا الموقع ملفات تعريف الارتباط. لمزيد من المعلومات حول كيفية استخدامنا لملفات تعريف الارتباط ، يمكنك قراءة إشعار الخصوصية وملفات تعريف الارتباط الخاص بنا. ملفات تعريف الارتباط وسياسة الخصوصية
الصفحة الرئيسيةمستلزمات صناعية وعلميةالصناعية الكهربائيةمنتجات أشباه الموصلاتالترانزستوراتالترانزستورات HFETN-Channel Power MOSFET 10N60
237.00 جنيه
284.00 جنيه17%
In stock
مصاريف الشحن تبدأ من 106.10 جنيه الي 6 اكتوبر
وفر ١٠ جنيه على مصاريف الشحن عند الدفع مسبقا
0 out of 5
(لا يتوفر تقييم)عروض
التوصيل والارجاع
تم شحنه من الخارج
اختار العنوان
توصيل للمنزل
مصاريف الشحن 106.10 جنيه
يتم التوصيل يوم ١٠ يوليو عند الطلب خلال 18hrs 14mins
سياسة الارجاع
يمكنك ارجاع اغلب المنتجات خلال 14-30 يوم من تاريخ الشراء، مع ضرورة الإبلاغ عن وجود اي عيب ظاهر في خلال 48 ساعة، للإستثناءات والشروط راجع سياسة الإرجاع من هنا.تفاصيل
بيانات البائع
JG-Abbraccia
98%تقييم البائع
2 المتابعين
أداء البائع
تقييم الجودة: ممتاز
مواصفات المنتج
- This latest technology has been especially designed to minimize on -state resistance,have a high rugged characteristics. This devices is specially well suited for high efficiency switch mode , power factor correction, UPS and a electronic lamp ballast base on half bridge.Specification:Model No.10N60Drain Source Voltage600VDrain Current10APackageTO-220FMounting Hole DiameterApprox. 3mmPin Size ( Pitch)Approx. 13 x 2 mmTotal Size ( W x H)Approx. 29 x 10pcs 4mmPackage Includes:5 -Channel MOSFET
- N-Channel Power MOSFET 10N60
- This latest technology has been especially designed to minimize on -state resistance,have a high rugged characteristics. This devices is specially well suited for high efficiency switch mode , power factor correction, UPS and a electronic lamp ballast base on half bridge.Specification:Model No.10N60Drain Source Voltage600VDrain Current10APackageTO-220FMounting Hole DiameterApprox. 3mmPin Size ( Pitch)Approx. 13 x 2 mmTotal Size ( W x H)Approx. 29 x 10pcs 4mmPackage Includes:5 -Channel MOSFET
- N-Channel Power MOSFET 10N60
- This latest technology has been especially designed to minimize on -state resistance,have a high rugged characteristics. This devices is specially well suited for high efficiency switch mode , power factor correction, UPS and a electronic lamp ballast base on half bridge.Specification:Model No.10N60Drain Source Voltage600VDrain Current10APackageTO-220FMounting Hole DiameterApprox. 3mmPin Size ( Pitch)Approx. 13 x 2 mmTotal Size ( W x H)Approx. 29 x 10pcs 4mmPackage Includes:5 -Channel MOSFET
المواصفات
المواصفات الرئيسية
- Model No.10N60Drain Source Voltage600VDrain Current10APackageTO-220FMounting Hole DiameterApprox. 3mmPin Size ( Pitch)Approx. 13 x 2 mmTotal Size ( W x H)Approx. 29 x 10 x 4mm
- Model No.10N60Drain Source Voltage600VDrain Current10APackageTO-220FMounting Hole DiameterApprox. 3mmPin Size ( Pitch)Approx. 13 x 2 mmTotal Size ( W x H)Approx. 29 x 10 x 4mm
- Model No.10N60Drain Source Voltage600VDrain Current10APackageTO-220FMounting Hole DiameterApprox. 3mmPin Size ( Pitch)Approx. 13 x 2 mmTotal Size ( W x H)Approx. 29 x 10 x 4mm
محتويات العبوه
5 -Channel MOSFET
المواصفات
- SKU: GE810IP0AYGE0NAFAMZ
- الموديل: N/A
- بلد الصنع: China
- الحجم (طولx عرضx ارتفاع سم): 18.79 x 15.79 x 2.85
- الخامه الرئيسية: N/A
آراء العملاء الموثقة
لم يتم تقييم المنتج بعد
N-Channel Power MOSFET 10N60
237.00 جنيه
284.00 جنيه17%